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- 商品名称:脉冲IV测试忆阻器仪表
- 品牌:其他
- 商品毛重:
- 单位:台
- 测试范围 :±30uV-±300V/±10pA-±10A
- 测试精度:0.1%
- 最大输出功率:30W
- 尺寸:106×255×425mm
- 工作环境:25±10℃
脉冲IV测试忆阻器仪表认准普赛斯仪表,原厂直销、服务完善!P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达10A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。详询一八一四零六六三四七六;P系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

脉冲源表特点
•5寸触摸显示屏全图形化操作
•内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV
•源及测量的准确度为0.1%,分辨率5位半
•四象限工作(源和肼),源及测量范围广:电流低至1pA,电压高至300V
•最小脉冲宽度100uS
•丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
•支持USB存储,一键导出测试报告
•支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网
技术指标
| 电压 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+volts) |
| 300mV | 30uV | 0.1%±300uV | 30uV | 0.1%±300uV |
| 3V | 300uV | 0.1%±500uV | 300uV | 0.1%±500uV |
| 30V | 3mV | 0.1%±3mV | 3mV | 0.1%±3mV |
| 100V | 10mV | 0.1%±10mV | 10mV | 0.1%±10mV |
| 300V | 30mV | 0.1%±30mV | 30mV | 0.1%±30mV |
| 电流 | 源 | 测量 | ||
| 量程 | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+A) | 分辨率 | 准确度±(% rdg.+A) |
| 10nA | 1pA | 0.1%±50pA | 1pA | 0.1%±50pA |
| 100nA | 10pA | 0.1%±0.1nA | 10pA | 0.1%±0.1nA |
| 1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
| 10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
| 100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
| 1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
| 10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
| 100mA | 10uA | 0.1%±20uA | 10uA | 0.1%±20uA |
| 1A | 100uA | 0.1%±2mA | 100uA | 0.1%±2mA |
| 3A | 300uA | 0.1%±3mA | 300uA | 0.1%±3mA |
| 10A | 1mA | 0.1%±5mA | 1mA | 0.1%±5mA |
脉冲技术指标如下:
| Z大电流极限 | Z大脉宽 | Z大占空比 |
| DC,无限制 | 100% | |
| DC,无限制 | 100% | |
| 5mS | 3% | |
| 10mS | 5% | |
| 1mS | 5% |
Z小可编程脉宽200us,在部分量程上脉宽大于该值;脉宽可编程分辨率20us,脉宽编程精度±10uS。
其它技术指标如下:
源限度:直流模式Z大输出功率30W,脉冲模式Z大功率300W,4象限源或肼模式;
过量程: 105%量程,源和测量;
稳定负载电容:22nF;
宽带噪声(20MHz):3mV RMS(典型值),20mV Vp-p(典型值);
FORCR HI和SENSE HI之间的Z大电压为:3V;
FORCR LO和SENSE LO之间的Z大电压为:3V;
线缆保护电压:输出阻抗1KΩ,输出电压偏移5mV;
Z大采样速率:100000 S/s;
触发:支持IO触发输入及输出,触发极性可配置;
输出接口:后面板接口;
通信口:RS-232、GPIB、以太网;
电源:AC 100~240V 50/60Hz;
工作环境:25±10℃;
尺寸:106mm高 × 255mm宽 × 425mm长;
质保期:1年;
脉冲源表应用
•纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等
•有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等
•能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
•分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC等
•传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等
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