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MOS场效应管IV曲线测试仪

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  • 商品名称:MOS场效应管IV曲线测试仪
  • 品牌:其他
  • 商品毛重:
  • 单位:台
  • 尺寸 :425*255*106mm
  • 重量:5KG
  • 电源:AC 100~240V
  • 工作环境 :25±10℃
  • 测试范围:±30uV-±300V/±100pA-±1A
产品描述:

半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。直流I-V测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础,通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。

分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用,如金属互连,镀层阶段,芯片封装后的测试等。

MOS场效应管IV曲线测试仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案,由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET场效应管为例,配套以下设备:

S型高精密源表测试三极管或者MOS管需要几台源表?搭建方案示意图?
①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间,一台加在集电极与发射极之间;MOS管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表;


②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V,基于最高性价比考虑,其中一台使用S100即可,另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定,普赛斯仪表推出的功率器件静态测试仪可精准测量MOSFET、BJT、IGBT等的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

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